原标题：首款二维硅基混合架构闪存芯片问世。复旦大学记者发现，继今年4月推出“破晓”二维闪存原型器件，实现400皮秒（一皮秒相当于一万亿秒）超高速非易失性存储，为打破电源发展困境提供底层原理后，半年时间，周鹏立国家重点实验室 学院集成芯片与系统在该领域取得了又一个里程碑。近日，《自然》杂志发表了团队的最新研究进展。其研发的“长盈（CY-01）”架构深度包含了“破晓”成熟的CMO基硅（互补金属氧化物半导体）技术，并引领了首款二维硅基混合架构芯片的研发。这不仅实现了重大或二维新型信息器件的工程问题，也为推动信息技术进入新的高速时期提供了有力支撑。
作为集成电路领域的边界，二维电子学近年来受到广泛关注。然而，如何加快产业化进程，让二维电子器件走向功能芯片呢？该团队认为，要加速新技术的孵化，需要将二维超快闪存器件全面集成到CMOS——传统半导体生产线中，这也能带来新的CMOS技术的成功。第一阶段团队经过五年的探索和试错，共同解决了单台设备、集成工艺等多个领域的重大问题。团队整合的第一个任务发表在2024年《自然电子》上，为苏打下了基础后续的研究工作。
“二维半导体作为一种新的材料体系，并不存在于世界上所有的组合电路制造工厂中。当新材料引入时，可能会对其他电子器件产生不可避免的影响，导致工线受到污染，这是所有芯片制造商都无法接受的。”周鹏介绍。
如何在 CMO 中包含 2D 材料而不破坏其性能？该团队决定从天然柔性的二维材料开始。他们通过模块化集成方案，首先将二维存储电路从成熟的CMOS电路中分离出来，然后通过高密度单片互连技术将其集成到CMOS控制电路中，实现完整的芯片集成。这是实现二维材料与CMOS衬底在原子尺度上紧密贴合的主要变革过程，最终实现了94%以上的芯片良率。时间该团队进一步提出了跨平台系统设计方法，包括2D-CMOS电路协作、2D-CMOS跨平台接口设计，并命名为“Changeing（CY-01）架构”架构接口。
据了解，该团队下一步将建立实验基地，与相关机构合作，自主建立引领工程项目，计划用3到5年的时间将万亿级项目纳入其中。 “这是中国电路聚合领域的‘资源技术’，让我国在下一代阵风技术领域进行了创举。”周鹏说道。 （记者 伟琪 通讯员 华婷）
（编辑：李芳、郝梦佳）
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